BSS169H6327XT

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PG-SOT-23-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

90 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

6 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.9 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

2.1 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

360 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Таусылуы

Біліктілік:

AEC-Q101

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.1 mm

Ұзындығы:

2.9 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

BSS169

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

SIPMOS шағын сигнал транзисторы

Ені:

1.3 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

0.1 S

Күз уақыты:

27 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

2.7 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

11 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

2.9 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSS169 BSS169H6327XTSA1 H6327 SP000702572

Бірлік салмағы:

0.000282 oz

Tags

BSS169H63, BSS169H, BSS169, BSS16, BSS1, BSS