NPT2021

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

MACOM

Өнім санаты:

RF JFET транзисторлары

RoHS:

Y

Транзистор түрі:

HEMT

Технология:

GaN Si

Табыс:

14.2 dB

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

160 V

Vgs - Gate-Source бұзылу кернеуі:

3 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

14 mA

Шығу қуаты:

45 W

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 40 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 85 C

Орнату стилі:

Бұрандалы бекіту

Пакет/қорап:

TO-272

Қаптама:

Науа

Конфигурация:

Бойдақ

Жұмыс жиілігі:

2.5 GHz

Жұмыс температурасының диапазоны:

- 40 C to + 85 C

Бренд:

MACOM

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

RF JFET транзисторлары

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

340 mOhms

Зауыттық буманың саны:

25

Ішкі санат:

Транзисторлар

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

- 1.8 V

Бірлік салмағы:

0.067412 oz

Tags

NPT202, NPT20, NPT2, NPT