C3M0120090J-TR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Cree, Inc.

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

SiC

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-7

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

900 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

22 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

170 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.8 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

18 V, - 8 V

Qg - қақпа заряды:

17.3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

83 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Өнім:

MOSFET қуаты

Түрі:

Кремний карбиді MOSFET

Бренд:

Wolfspeed / Cree

Форвард өткізгіштік - Мин:

6.7 S

Күз уақыты:

5 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9 ns

Зауыттық буманың саны:

800

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

12.5 ns

Бірлік салмағы:

0.056438 oz

Tags

C3M01200, C3M01, C3M0, C3M