SIHF9520S-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

6.8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

600 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

- 4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

18 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

60 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Биіктігі:

4.83 mm

Ұзындығы:

10.67 mm

Серия:

SIH

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

9.65 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Форвард өткізгіштік - Мин:

2 S

Күз уақыты:

25 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

29 ns

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

21 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

29 ns

Tags

SIHF95, SIHF9, SIHF, SIH