C3M0280090J-TR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Cree, Inc.

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

SiC

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-7

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

900 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

11 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

385 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.8 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

18 V, - 8 V

Qg - қақпа заряды:

9.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

50 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Өнім:

MOSFET қуаты

Түрі:

Кремний карбиді MOSFET

Бренд:

Wolfspeed / Cree

Форвард өткізгіштік - Мин:

3.1 S

Күз уақыты:

4 ns

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

6.5 ns

Зауыттық буманың саны:

800

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

11 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

10.5 ns

Бірлік салмағы:

0.056438 oz

Tags

C3M02, C3M0, C3M