IPB117N20NFDATMA1

IPB117N20NFDATMA1
Mfr. #:
IPB117N20NFDATMA1
Өндіруші:
Infineon Technologies
Сипаттама:
MOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
IPB117N20NFDATMA1 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Infineon
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
Си
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
TO-263-3
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
200 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
84 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
10.3 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
2 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
20 V
Qg - қақпа заряды:
87 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 175 C
Pd - қуаттың шығыны:
300 W
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Сауда атауы:
OptiMOS
Қаптама:
Ролик
Биіктігі:
4.4 mm
Ұзындығы:
10 mm
Серия:
OptiMOS жылдам диод
Транзистор түрі:
1 N-Channel
Ені:
9.25 mm
Бренд:
Infineon Technologies
Форвард өткізгіштік - Мин:
70 S
Күз уақыты:
8 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
10 ns
Зауыттық буманың саны:
1000
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
24 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
13 ns
Бөлім # Бүркеншік аттар:
IPB117N20NFD SP001107232
Бірлік салмағы:
0.068654 oz
Tags
IPB117, IPB11, IPB1, IPB
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Components
On a Reel of 1000, N-Channel MOSFET, 84 A, 200 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB117N20NFDATMA1
***ure Electronics
Single N-Channel 200 V 11.7 mOhm 65 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK-3
***p One Stop Japan
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin D2PAK T/R
***ical
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) TO-263
***i-Key
MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK
***ronik
N-CH 200V 84A 11,7mOhm TO263
***ark
Mosfet, N-Ch, 200V, 84A, To-263-3; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:84A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(On):0.0103Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. MOSFET, N-CH, 200V, 84A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:84A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.0103ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:300W; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:OptiMOS FD Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
***nell
MOSFET, N-CH, 200V, 84A, TO-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:84A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.0103ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):10V; Tensione di Soglia Vgs:3V; Dissipazione di Potenza Pd:300W; Modello Case Transistor:TO-263; No. di Pin:3Pin; Temperatura di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:OptiMOS FD Series; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):MSL 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (27-Jun-2018)
***ineon
New OptiMOS Fast Diode (FD), Infineons latest generation of power MOSFETs in 200V, 250V and 300V is optimized for body diode hard commutation. The new devices are the perfect choice for hard switching applications such as telecom, industrial power supplies, Class D audio amplifiers, motor control and DC-AC inverter. | Summary of Features: Improved hard commutation ruggedness; Optimized hard switching behavior; Industrys lowest R ds(on), Q g and Q rr; RoHS compliant - halogen free | Benefits: Highest system reliability; System cost reduction; Highest efficiency and power density; Easy-to-design products | Target Applications: Telecom; Class D audio amplifier; Motor control for 48-110V systems; Industrial power supplies; DC-AC inverter
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
IPB117N20NFDATMA1
DISTI # V72:2272_06377686
Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R720
  • 500:$3.6750
  • 250:$4.2160
  • 100:$4.4429
  • 25:$4.6080
  • 10:$5.1200
  • 1:$6.6099
IPB117N20NFDATMA1
DISTI # V36:1790_06377686
Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R0
  • 1000000:$2.6750
  • 500000:$2.6780
  • 100000:$2.9070
  • 10000:$3.3090
  • 1000:$3.3760
IPB117N20NFDATMA1
DISTI # IPB117N20NFDATMA1CT-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 200V 84A D2PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
910In Stock
  • 500:$4.1225
  • 100:$4.8427
  • 10:$5.9110
  • 1:$6.5800
IPB117N20NFDATMA1
DISTI # IPB117N20NFDATMA1DKR-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 200V 84A D2PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
910In Stock
  • 500:$4.1225
  • 100:$4.8427
  • 10:$5.9110
  • 1:$6.5800
IPB117N20NFDATMA1
DISTI # IPB117N20NFDATMA1TR-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 200V 84A D2PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 2000:$3.2068
  • 1000:$3.3756
IPB117N20NFDATMA1
DISTI # 32874591
Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R720
  • 500:$3.6750
  • 250:$4.2160
  • 100:$4.4429
  • 25:$4.6080
  • 10:$5.1200
  • 3:$6.6099
IPB117N20NFDATMA1
DISTI # SP001107232
Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin D2PAK T/R (Alt: SP001107232)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape and Reel
Europe - 1000
  • 10000:€2.0900
  • 6000:€2.2900
  • 4000:€2.4900
  • 2000:€2.5900
  • 1000:€2.6900
IPB117N20NFDATMA1
DISTI # IPB117N20NFDATMA1
Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IPB117N20NFDATMA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Reel
Americas - 0
  • 6000:$2.2900
  • 10000:$2.2900
  • 4000:$2.3900
  • 2000:$2.4900
  • 1000:$2.5900
IPB117N20NFDATMA1
DISTI # 97Y1821
Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 200V, 84A, TO-263-3,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:84A,Drain Source Voltage Vds:200V,On Resistance Rds(on):0.0103ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:3V,Power RoHS Compliant: Yes0
  • 500:$3.8500
  • 250:$4.2800
  • 100:$4.5100
  • 50:$4.7500
  • 25:$4.9800
  • 10:$5.2100
  • 1:$6.1300
IPB117N20NFDATMA1Infineon Technologies AGSingle N-Channel 200 V 11.7 mOhm 65 nC OptiMOS Power Mosfet - D2PAK-3
RoHS: Not Compliant
6Cut Tape/Mini-Reel
  • 1:$4.5200
  • 50:$3.2900
  • 100:$3.1100
  • 250:$2.8900
  • 500:$2.7300
IPB117N20NFD
DISTI # 726-IPB117N20NFDATMA
Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2
RoHS: Compliant
325
  • 1:$6.0700
  • 10:$5.1600
  • 100:$4.4700
  • 250:$4.2400
  • 500:$3.8100
  • 1000:$3.2100
  • 2000:$3.0500
IPB117N20NFDATMA1
DISTI # 726-IPB117N20NFD
Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2
RoHS: Compliant
62
  • 1:$6.0700
  • 10:$5.1600
  • 100:$4.4700
  • 250:$4.2400
  • 500:$3.8100
  • 1000:$3.2100
  • 2000:$3.0500
IPB117N20NFDATMA1
DISTI # 1107458P
Infineon Technologies AGMOSFET N-CHAN OPTIMOS-FD 200V 84A TO263, RL500
  • 200:£3.2600
  • 100:£3.4300
  • 40:£3.6700
  • 10:£4.1050
IPB117N20NFDATMA1
DISTI # 2617439
Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 200V, 84A, TO-263-3
RoHS: Compliant
223
  • 500:$6.6000
  • 100:$8.1400
  • 10:$9.9300
  • 1:$11.1100
IPB117N20NFDATMA1
DISTI # 2617439
Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 200V, 84A, TO-263-3559
  • 500:£2.9400
  • 250:£3.2600
  • 100:£3.4400
  • 10:£3.9800
  • 1:£5.1600
Сурет Бөлім № Сипаттама
ISO7763FDW

Mfr.#: ISO7763FDW

OMO.#: OMO-ISO7763FDW

Digital Isolators ISO7763FDW/R DIG ISO - MYNA - 6CH
IPB110N20N3LFATMA1

Mfr.#: IPB110N20N3LFATMA1

OMO.#: OMO-IPB110N20N3LFATMA1

MOSFET
STD13N60DM2

Mfr.#: STD13N60DM2

OMO.#: OMO-STD13N60DM2

MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
R6020KNX

Mfr.#: R6020KNX

OMO.#: OMO-R6020KNX

MOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
IDD06SG60CXTMA2

Mfr.#: IDD06SG60CXTMA2

OMO.#: OMO-IDD06SG60CXTMA2

Schottky Diodes & Rectifiers SIC DIODES
C3M0075120J

Mfr.#: C3M0075120J

OMO.#: OMO-C3M0075120J

MOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
08055U510GAT2A

Mfr.#: 08055U510GAT2A

OMO.#: OMO-08055U510GAT2A

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 50V 51 pF 0.02 2% Tol
ERJ-PB3B4991V

Mfr.#: ERJ-PB3B4991V

OMO.#: OMO-ERJ-PB3B4991V

Thick Film Resistors - SMD 0603 Anti-Surge Res. 0.1%, 4.99Koh
08055U510GAT2A

Mfr.#: 08055U510GAT2A

OMO.#: OMO-08055U510GAT2A-AVX

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 50V 5.1pF 2%
STD13N60DM2

Mfr.#: STD13N60DM2

OMO.#: OMO-STD13N60DM2-STMICROELECTRONICS

N-CHANNEL 600 V, 0.310 OHM TYP.,
Қол жетімділік
Қор:
173
Тапсырыс бойынша:
2156
Саны енгізіңіз:
IPB117N20NFDATMA1 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
6,07 $
6,07 $
10
5,16 $
51,60 $
100
4,47 $
447,00 $
250
4,24 $
1 060,00 $
500
3,81 $
1 905,00 $
2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
-ден бастаңыз
Ең жаңа өнімдер
Top