C3M0075120J

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Cree, Inc.

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

SiC

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-7

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

1.2 kV

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

30 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

75 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.7 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

15 V, - 4 V

Qg - қақпа заряды:

51 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

113.6 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Wolfspeed / Cree

Форвард өткізгіштік - Мин:

9 S

Күз уақыты:

10 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

29 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

17 ns

Бірлік салмағы:

0.077603 oz

Tags

C3M007, C3M00, C3M0, C3M