OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Сәлем, жүйеге кіріңізМенің аккаунтым
0 Арба

IGT60R070D1ATMA1

IGT60R070D1ATMA1
Mfr. #:
IGT60R070D1ATMA1
Өндіруші:
Infineon Technologies
Сипаттама:
MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
IGT60R070D1ATMA1 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
IGT60R070D1ATMA1 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Infineon
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
GaN
Орнату стилі:
SMD/SMT
Пакет/қорап:
PG-HSOF-8
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
600 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
31 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
70 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
0.9 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
10 V
Qg - қақпа заряды:
5.8 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Pd - қуаттың шығыны:
125 W
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Сауда атауы:
CoolGaN
Қаптама:
Ролик
Транзистор түрі:
1 N-Channel
Бренд:
Infineon Technologies
Күз уақыты:
13 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
8 ns
Зауыттық буманың саны:
2000
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
13 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
12 ns
Бөлім # Бүркеншік аттар:
SP001300364
Tags
IGT60, IGT6, IGT
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
CoolGaN™ Gallium Nitride HEMTs
Infineon CoolGaN™ Gallium Nitride HEMTs offer excellent advantages including ultimate efficiency, reliability, power density, and highest quality over silicon. CoolGaN transistors are built with the most reliable technology, designed for the highest efficiency and power density in switch mode power supplies. The devices work similar to conventional silicon MOSFETs with enhancement mode gate drive bias using a p-GaN gate structure.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
IGT60R070D1ATMA1
DISTI # V72:2272_22710692		Infineon Technologies AGIGT60R070D1ATMA13961
  • 3000:$15.3900
  • 1000:$15.4000
  • 250:$15.4100
  • 100:$15.4200
  • 25:$19.6300
  • 10:$20.0500
  • 1:$22.0400
IGT60R070D1ATMA1
DISTI # V36:1790_22710692		Infineon Technologies AGIGT60R070D1ATMA10
  • 1000000:$13.4800
  • 200000:$14.0500
  • 20000:$15.1900
  • 2000:$15.3900
IGT60R070D1ATMA1
DISTI # IGT60R070D1ATMA1CT-ND		Infineon Technologies AGIC GAN FET 600V 60A 8HSOF
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		609In Stock
  • 500:$17.2689
  • 100:$19.0208
  • 10:$22.2740
  • 1:$24.1500
IGT60R070D1ATMA1
DISTI # IGT60R070D1ATMA1DKR-ND		Infineon Technologies AGIC GAN FET 600V 60A 8HSOF
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		609In Stock
  • 500:$17.2689
  • 100:$19.0208
  • 10:$22.2740
  • 1:$24.1500
IGT60R070D1ATMA1
DISTI # IGT60R070D1ATMA1TR-ND		Infineon Technologies AGIC GAN FET 600V 60A 8HSOF
RoHS: Compliant
Min Qty: 2000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 2000:$15.3890
IGT60R070D1ATMA1
DISTI # 32361397		Infineon Technologies AGIGT60R070D1ATMA13961
  • 3000:$15.3900
  • 1000:$15.4000
  • 250:$15.4100
  • 100:$15.4200
  • 25:$19.6300
  • 10:$20.0500
  • 1:$22.0400
IGT60R070D1ATMA1
DISTI # SP001300364		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 600V 31A 8-Pin HSOF (Alt: SP001300364)
RoHS: Compliant
Min Qty: 2000		Europe - 100
  • 20000:€12.7900
  • 12000:€13.6900
  • 8000:€14.7900
  • 4000:€15.3900
  • 2000:€15.9900
IGT60R070D1ATMA1
DISTI # IGT60R070D1ATMA1		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 600V 31A 8-Pin HSOF - Tape and Reel (Alt: IGT60R070D1ATMA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 2000
Container: Reel		Americas - 0
  • 20000:$14.6900
  • 12000:$14.8900
  • 8000:$15.3900
  • 4000:$15.9900
  • 2000:$16.5900
IGT60R070D1ATMA1
DISTI # 84AC1771		Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 600V, 31A, 150DEG C, 125W,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:31A,Drain Source Voltage Vds:600V,On Resistance Rds(on):0.055ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:-,Threshold Voltage Vgs:1.2V,Power RoHS Compliant: Yes1992
  • 1000:$14.0300
  • 500:$16.1300
  • 250:$16.9500
  • 100:$17.7700
  • 50:$18.8200
  • 25:$19.8800
  • 10:$20.8100
  • 1:$22.5500
IGT60R070D1ATMA1
DISTI # 726-IGT60R070D1ATMA1		Infineon Technologies AGMOSFET 600V CoolGaN Power Transistor
RoHS: Compliant		2160
  • 1:$22.3300
  • 5:$22.1000
  • 10:$20.6000
  • 25:$19.6800
  • 100:$17.5900
  • 250:$16.7800
  • 500:$15.9700
  • 1000:$13.8900
IGT60R070D1ATMA1
DISTI # IGT60R070D1ATMA1		Infineon Technologies AGTransistor: N-JFET,CoolGaN™,unipolar,600V,31A,Idm:60A,125W5
  • 10:$22.5500
  • 3:$25.5900
  • 1:$28.4100
IGT60R070D1ATMA1
DISTI # 2981532		Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 600V, 31A, 150DEG C, 125W
RoHS: Compliant		1992
  • 2000:$23.1500
  • 500:$25.6600
  • 100:$26.5000
  • 50:$28.9100
  • 1:$31.8100
  • 10:$31.8100
IGT60R070D1ATMA1
DISTI # 2981532		Infineon Technologies AGMOSFET, N-CH, 600V, 31A, 150DEG C, 125W1974
  • 100:£13.6900
  • 50:£14.5100
  • 10:£15.3200
  • 5:£17.2000
  • 1:£17.3800
IGT60R070D1ATMA1
DISTI # XSKDRABV0044851		Infineon Technologies AGDFlip-Flop,4000/14000/40000Series,2-Func,PositiveEdgeTriggered,1-Bit,ComplementaryOutput, CMOS,PDSO14
RoHS: Compliant		80 in Stock0 on Order
  • 80:$20.2700
  • 33:$21.7200
Сурет Бөлім № Сипаттама
IGT60R190D1SATMA1

Mfr.#: IGT60R190D1SATMA1

OMO.#: OMO-IGT60R190D1SATMA1

 MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor
IGO60R070D1AUMA1

Mfr.#: IGO60R070D1AUMA1

OMO.#: OMO-IGO60R070D1AUMA1

 MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor
IGOT60R070D1AUMA1

Mfr.#: IGOT60R070D1AUMA1

OMO.#: OMO-IGOT60R070D1AUMA1

 MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor
IGLD60R070D1AUMA1

Mfr.#: IGLD60R070D1AUMA1

OMO.#: OMO-IGLD60R070D1AUMA1

 MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor
PGA26E19BA

Mfr.#: PGA26E19BA

OMO.#: OMO-PGA26E19BA

 MOSFET MOSFET 600VDC 190mohm X-GaN
GS66508T-E02-MR

Mfr.#: GS66508T-E02-MR

OMO.#: OMO-GS66508T-E02-MR

 MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
1EDF5673FXUMA1

Mfr.#: 1EDF5673FXUMA1

OMO.#: OMO-1EDF5673FXUMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

 IC DRIVER IC GAN DSO-16-11
LMG3411R070RWHT

Mfr.#: LMG3411R070RWHT

OMO.#: OMO-LMG3411R070RWHT-TEXAS-INSTRUMENTS

 600-V 70m GaN with integrated driver and cycle-by-cycle overcurrent protection
IGOT60R070D1AUMA1

Mfr.#: IGOT60R070D1AUMA1

OMO.#: OMO-IGOT60R070D1AUMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

 IC GAN FET 600V 60A 20DSO
GS66508T-E02-MR

Mfr.#: GS66508T-E02-MR

OMO.#: OMO-GS66508T-E02-MR-1190

 MOSFET 650V 30A E-Mode GaN
Қол жетімділік
Қор:
Available
Тапсырыс бойынша:
1985
Саны енгізіңіз:
IGT60R070D1ATMA1 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
22,33 $
22,33 $
5
22,10 $
110,50 $
10
20,60 $
206,00 $
25
19,68 $
492,00 $
100
17,59 $
1 759,00 $
250
16,78 $
4 195,00 $
500
15,97 $
7 985,00 $
1000
13,89 $
13 890,00 $
2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
-ден бастаңыз
Ең жаңа өнімдер
More Newest Products
Top