GS66508T-E02-MR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

GaN жүйелері

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

GaN

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

GaNPX-4

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

650 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

30 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

55 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.7 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

7 V

Qg - қақпа заряды:

5.8 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.54 mm

Ұзындығы:

7 mm

Өнім:

MOSFET

Серия:

GS6650x

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.5 mm

Бренд:

GaN жүйелері

Ылғалға сезімтал:

Иә

Өнім түрі:

MOSFET

Зауыттық буманың саны:

250

Ішкі санат:

MOSFETs

Бөлім # Бүркеншік аттар:

GS66508T-E02-MR

Tags

GS66508T, GS66508, GS6650, GS665, GS66, GS6