STI10

STI100N10F7 vs STI10NM60N vs STI10N62K3

 
PartNumberSTI100N10F7STI10NM60NSTI10N62K3
DescriptionMOSFETMOSFET N-CH 600V 0.53Ohm 10A Mdmesh IIMOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
ManufacturerSTMicroelectronicsSTMicroelectronics-
Product CategoryMOSFETMOSFET-
TechnologySiSi-
SeriesSTI100N10F7STI10NM60N-
BrandSTMicroelectronicsSTMicroelectronics-
Product TypeMOSFETMOSFET-
Factory Pack Quantity10001000-
SubcategoryMOSFETsMOSFETs-
RoHS-Y-
Mounting Style-Through Hole-
Package / Case-TO-262-3-
Number of Channels-1 Channel-
Transistor Polarity-N-Channel-
Vds Drain Source Breakdown Voltage-650 V-
Id Continuous Drain Current-10 A-
Rds On Drain Source Resistance-550 mOhms-
Vgs th Gate Source Threshold Voltage-3 V-
Vgs Gate Source Voltage-25 V-
Qg Gate Charge-19 nC-
Minimum Operating Temperature-- 50 C-
Maximum Operating Temperature-+ 150 C-
Pd Power Dissipation-70 W-
Configuration-Single-
Packaging-Tube-
Transistor Type-1 N-Channel-
Fall Time-15 ns-
Rise Time-12 ns-
Typical Turn Off Delay Time-32 ns-
Typical Turn On Delay Time-10 ns-
Unit Weight-0.050717 oz-
Өндіруші Бөлім № Сипаттама RFQ
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STI100N10F7 MOSFET
STI10NM60N MOSFET N-CH 600V 0.53Ohm 10A Mdmesh II
STI10NM60N IGBT Transistors MOSFET N-CH 600V 0.53Ohm 10A Mdmesh II
STI100N10F7 Power MOSFET Transistor Single N-Channel 100V 80A 80Ohm 3-Pin TO-262 Tray (Alt: STI100N10F7)
STI10N62K3 MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
STI10-0201 Жаңа және түпнұсқа
STI1000ZWA-ES Жаңа және түпнұсқа
STI10057LE B2 Жаңа және түпнұсқа
STI1010HUA Жаңа және түпнұсқа
STI1010ZUA Жаңа және түпнұсқа
STI1010ZUA AOT Жаңа және түпнұсқа
STI1012BUA Жаңа және түпнұсқа
STI1012DUA Жаңа және түпнұсқа
STI1012ZUA Жаңа және түпнұсқа
STI10142DUA Жаңа және түпнұсқа
STI1078-BWB Жаңа және түпнұсқа
STI10F168-Q3 Жаңа және түпнұсқа
STI1010FUA Жаңа және түпнұсқа
Top