STI10NM60N

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-262-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

650 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

10 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

550 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

25 V

Qg - қақпа заряды:

19 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 50 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

70 W

Конфигурация:

Бойдақ

Қаптама:

Түтік

Серия:

STI10NM60N

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

15 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

12 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

32 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

10 ns

Бірлік салмағы:

0.050717 oz

Tags

STI10, STI1, STI