CSD25301W1015

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DSBGA-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.2 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

75 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1500 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

NexFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.625 mm

Ұзындығы:

1.5 mm

Серия:

CSD25301W1015

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

1 mm

Бренд:

Texas Instruments

Күз уақыты:

12 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

2 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

29 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4 ns

Бірлік салмағы:

0.000060 oz

Tags

CSD2530, CSD253, CSD25, CSD2, CSD