CSD25302Q2

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

WSON-FET-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

49 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

2.6 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2.4 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

NexFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.75 mm

Ұзындығы:

2 mm

Серия:

CSD25302Q2

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

2 mm

Бренд:

Texas Instruments

Форвард өткізгіштік - Мин:

12.3 S

Күз уақыты:

1.3 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

13.2 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

8.6 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3.2 ns

Tags

CSD2530, CSD253, CSD25, CSD2, CSD