STGWA80H65DFB

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

IGBT транзисторлары

RoHS:

Y

Технология:

Си

Пакет/қорап:

TO-247-3

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

650 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

2 V

Шықпа эмитентінің максималды кернеуі:

20 V

Үздіксіз коллектор тогы 25 С:

120 A

Pd - қуаттың шығыны:

469 W

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Серия:

STGWA80H65DFB

Үздіксіз коллектор ток Ic макс:

80 A

Биіктігі:

5.3 mm

Ұзындығы:

20.3 mm

Жұмыс температурасының диапазоны:

- 55 C to + 175 C

Ені:

15.9 mm

Бренд:

STMicroelectronics

Үздіксіз коллекторлық ток:

120 A

Шлюз-эмиттер ағып кету тогы:

250 nA

Өнім түрі:

IGBT транзисторлары

Зауыттық буманың саны:

600

Ішкі санат:

IGBT

Бірлік салмағы:

1.340411 oz

Tags

STGWA8, STGWA, STGW, STG