MRF21010LSR1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

NXP

Өнім санаты:

RF MOSFET транзисторлары

RoHS:

Y

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Технология:

Си

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

65 V

Табыс:

13.5 dB

Шығу қуаты:

2.1 W

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

NI-360S-3

Қаптама:

Ролик

Конфигурация:

Бойдақ

Биіктігі:

3.94 mm

Ұзындығы:

9.78 mm

Жұмыс жиілігі:

2.1 GHz

Түрі:

RF қуаты MOSFET

Ені:

5.97 mm

Бренд:

NXP / Freescale

Арна режимі:

Жақсарту

Pd - қуаттың шығыны:

43.75 W

Өнім түрі:

RF MOSFET транзисторлары

Зауыттық буманың саны:

500

Ішкі санат:

MOSFETs

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

- 0.5 V, 15 V

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Бірлік салмағы:

0.031651 oz

Tags

MRF21010LS, MRF21010L, MRF2101, MRF210, MRF21, MRF2, MRF