RW1E015RPT2R

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-563-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

270 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

6.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

700 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.65 mm

Ұзындығы:

1.7 mm

Өнім:

MOSFET

Серия:

RW1E015RP

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Түрі:

MOSFET қуаты

Ені:

1.4 mm

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

1.2 S

Күз уақыты:

13 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

8 ns

Зауыттық буманың саны:

8000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

40 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

12 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

RW1E015RP

Бірлік салмағы:

0.000106 oz

Tags

RW1E015, RW1E01, RW1E0, RW1E, RW1