2N5629 PBFREE

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Орталық жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

Биполярлы транзисторлар - BJT

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-3-2

Транзистордың полярлығы:

NPN

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

100 V

Коллектор – базалық кернеу VCBO:

100 V

Эмитент – базалық кернеу VEBO:

7 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

2 V

Өткізу қабілеттілігін арттыру өнімі fT:

1 MHz

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 65 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 200 C

Серия:

2N56

Тұрақты ток күші hFE макс:

100 at 8 A, 2 V

Қаптама:

Түтік

Бренд:

Орталық жартылай өткізгіш

Үздіксіз коллекторлық ток:

16 A

Тұрақты ток коллекторы/негізгі күшеюі hfe Мин:

25 at 8 A, 2 V

Pd - қуаттың шығыны:

200 W

Өнім түрі:

BJTs - Биполярлы транзисторлар

Зауыттық буманың саны:

20

Ішкі санат:

Транзисторлар

Tags

2N5629, 2N562, 2N56, 2N5