IPA028N08N3 G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220FP-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

80 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

89 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

206 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

42 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

OptiMOS

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

16.15 mm

Ұзындығы:

10.65 mm

Серия:

OptiMOS 3

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.85 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

89 S

Күз уақыты:

26 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

59 ns

Зауыттық буманың саны:

500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

77 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

30 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPA028N08N3GXKSA1 IPA28N8N3GXK SP000446770

Бірлік салмағы:

0.211644 oz

Tags

IPA028N08N3G, IPA028, IPA02, IPA0, IPA