BSP315P H6327

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PG-SOT-223-4

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1.17 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

800 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

5.2 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.8 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.6 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Серия:

BSP315

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

3.5 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

700 mS

Күз уақыты:

19 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

32 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

24 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

BSP315PH6327XTSA1 SP001058830

Бірлік салмағы:

0.003951 oz

Tags

BSP315PH, BSP315P, BSP315, BSP31, BSP3, BSP