QS8K2TR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSMT-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

38 mOhms, 38 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

500 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

4.6 nC, 4.6 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.5 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

QS8K2

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Күз уақыты:

13 ns, 13 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

12 ns, 12 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

29 ns, 29 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

8 ns, 8 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

QS8K2

Tags

QS8K2, QS8K, QS8