DMG9933USD-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4.6 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

55 mOhms, 55 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

12 V

Qg - қақпа заряды:

6.5 nC, 6.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.15 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

DMG9933

Транзистор түрі:

2 P-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

22.19 ns, 22.19 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

10.29 ns, 10.29 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

46.52 ns, 46.52 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

12.45 ns, 12.45 ns

Бірлік салмағы:

0.002610 oz

Tags

DMG993, DMG99, DMG9, DMG