QS8K21TR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSMT-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

45 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

53 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

120 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

QS8K21

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

-

Әзірлеу жинағы:

-

Күз уақыты:

7 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

25 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

30 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

9 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

QS8K21

Tags

QS8K2, QS8K, QS8