CSD17311Q5

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Texas Instruments

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

E

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

VSON-Clip-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

100 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

2.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

24 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

3.2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Сауда атауы:

NexFET

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1 mm

Ұзындығы:

6 mm

Серия:

CSD17311Q5

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

30V N-Channel NexFET Power MOSFET

Ені:

5 mm

Бренд:

Texas Instruments

Форвард өткізгіштік - Мин:

200 S

Күз уақыты:

12 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

18 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

33 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

12 ns

Бірлік салмағы:

0.004078 oz

Tags

CSD17311, CSD1731, CSD173, CSD17, CSD1, CSD