RW1A025APT2CR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-563-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

12 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

2.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

180 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

300 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

16 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

700 mW

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.65 mm

Ұзындығы:

1.7 mm

Өнім:

MOSFET

Серия:

RW1A025AP

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Түрі:

MOSFET қуаты

Ені:

1.4 mm

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

3.5 S

Күз уақыты:

60 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

40 ns

Зауыттық буманың саны:

8000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

160 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

11 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

RW1A025AP

Бірлік салмағы:

0.000106 oz

Tags

RW1A025APT, RW1A025A, RW1A025, RW1A02, RW1A0, RW1A, RW1