DMN1023UCB4-7

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

U-WLB1010-4

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

12 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5.1 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

23 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

0.4 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

8 S

Күз уақыты:

9 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

6 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

18 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3 ns

Tags

DMN102, DMN10, DMN1, DMN