DMN1025UFDB-7

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

U-DFN2020-B-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

12 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

6.9 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

25 mOhms, 25 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

12.6 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.7 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

DMN1025

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

-

Күз уақыты:

2.8 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

9.3 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

17.2 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3 ns

Tags

DMN102, DMN10, DMN1, DMN