IRF3710STRRPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

D2PAK-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

57 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

23 mOhms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

86.7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

3.8 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.3 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Түрі:

HEXFET Power MOSFET

Ені:

6.22 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

47 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

58 ns

Зауыттық буманың саны:

800

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

45 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

12 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001561740

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IRF3710STRR, IRF3710ST, IRF3710S, IRF3710, IRF371, IRF37, IRF3, IRF