IPG20N04S4L11AATMA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TDSON-8

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

20 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

10.1 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

16 V

Qg - қақпа заряды:

26 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

41 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.27 mm

Ұзындығы:

5.9 mm

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

5.15 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Күз уақыты:

15 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

2 ns

Зауыттық буманың саны:

5000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

5 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

IPG20N04S4L-11A SP001023836

Tags

IPG20N04S4L, IPG20N04, IPG20N0, IPG20, IPG2, IPG