DMN3190LDW-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-363-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

1 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

190 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2.8 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

2 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

320 mW

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

DMN31

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Форвард өткізгіштік - Мин:

700 nS

Күз уақыты:

15.6 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

8.9 ns

Зауыттық буманың саны:

10000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

30.3 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

4.5 ns

Бірлік салмағы:

0.000265 oz

Tags

DMN319, DMN31, DMN3, DMN