OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Сәлем, жүйеге кіріңізМенің аккаунтым
0 Арба

SCT3030KLHRC11

SCT3030KLHRC11
Mfr. #:
SCT3030KLHRC11
Өндіруші:
Rohm Semiconductor
Сипаттама:
MOSFET 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
SCT3030KLHRC11 Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
SCT3030KLHRC11 Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
ROHM жартылай өткізгіш
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
SiC
Орнату стилі:
Тесік арқылы
Пакет/қорап:
TO-247N-3
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
1200 V
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
72 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
30 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
2.7 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
- 4 V, 22 V
Qg - қақпа заряды:
131 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 175 C
Pd - қуаттың шығыны:
339 W
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Қаптама:
Түтік
Серия:
SCT3x
Транзистор түрі:
1 N-Channel
Бренд:
ROHM жартылай өткізгіш
Форвард өткізгіштік - Мин:
10.8 S
Күз уақыты:
29 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
42 ns
Зауыттық буманың саны:
30
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
61 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
24 ns
Tags
SCT3030K, SCT303, SCT30, SCT3, SCT
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Silicon Carbide (SiC) Power Devices
ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. SiC also allows designers to use fewer components, further reducing design complexity.
SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs
ROHM Semiconductor® SCT3x Series SiC Trench MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure that reduces ON resistance by 50% and input capacitance by 35% compared with planar-type SiC MOSFETs. This results in significantly lower switching loss and faster switching speeds, improving efficiency operation while reducing power loss in a variety of equipment. The lineup includes 650V and 1200V variants for broad applicability.
N-Channel SiC Power MOSFETs
ROHM Semiconductor N-Channel SiC (Silicon Carbide) Power MOSFETs feature no tail current during switching, resulting in faster operation and reduced switching loss. In addition, low ON resistance minimizes power dissipation and provides greater energy savings.
AEC-Q101 SiC Power MOSFETs
ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can be used to boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
SCT3030KLHRC11
DISTI # SCT3030KLHRC11-ND		ROHM SemiconductorAUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		450In Stock
  • 25:$57.3536
  • 10:$59.2650
  • 1:$63.0900
SCT3030KLHRC11
DISTI # 02AH4682		ROHM SemiconductorMOSFET, N-CH, 1.2KV, 72A, 175DEG C, 339W,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:72A,Drain Source Voltage Vds:1.2kV,On Resistance Rds(on):0.03ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:18V,Threshold Voltage Vgs:5.6V,Power RoHS Compliant: Yes0
  • 100:$61.9800
  • 50:$65.9400
  • 25:$66.9200
  • 10:$67.9300
  • 5:$69.9400
  • 1:$71.8700
SCT3030KLHRC11
DISTI # 755-SCT3030KLHRC11		ROHM SemiconductorMOSFET 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
RoHS: Compliant		880
  • 1:$63.0800
  • 5:$61.6700
  • 10:$59.2600
  • 25:$57.3500
SCT3030KLHRC11
DISTI # TMOS2739		ROHM SemiconductorSiC N-CH 1200V 72A 30mOhm
RoHS: Compliant		Stock DE - 0Stock HK - 0Stock US - 0
  • 450:$55.1400
SCT3030KLHRC11ROHM SemiconductorMOSFET 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
RoHS: Compliant		Americas -
    SCT3030KLHRC11
    DISTI # 3052188    		ROHM SemiconductorMOSFET, N-CH, 1.2KV, 72A, 175DEG C, 339W
    RoHS: Compliant    		0
    • 1:$108.7500
    SCT3030KLHRC11
    DISTI # 3052188    		ROHM SemiconductorMOSFET, N-CH, 1.2KV, 72A, 175DEG C, 339W0
    • 50:£49.4400
    • 10:£49.4900
    • 5:£49.5400
    • 1:£49.5900
    Сурет Бөлім № Сипаттама
    ISO1042QDWVQ1

    Mfr.#: ISO1042QDWVQ1

    OMO.#: OMO-ISO1042QDWVQ1

    		 CAN Interface IC ISO1042QDWV/RQ1 - M.2 AND TCAN1042 AUTOR
    IS61WV51216EEBLL-10TLI-TR

    Mfr.#: IS61WV51216EEBLL-10TLI-TR

    OMO.#: OMO-IS61WV51216EEBLL-10TLI-TR

    		 SRAM 8M 8,10ns 2.4-3.6V 512Kx16 LP Asyn SRAM
    C3225C0G3A472J200AC

    Mfr.#: C3225C0G3A472J200AC

    OMO.#: OMO-C3225C0G3A472J200AC

    		 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 1000V 4700pF C0G 5% T: 2mm
    NUCLEO-F429ZI

    Mfr.#: NUCLEO-F429ZI

    OMO.#: OMO-NUCLEO-F429ZI

    		 Development Boards & Kits - ARM STM32 Nucleo-144 development board with STM32F429ZI MCU, supports Arduino, ST Zio and morpho connectivity
    SPM10040T-1R0M

    Mfr.#: SPM10040T-1R0M

    OMO.#: OMO-SPM10040T-1R0M

    		 Fixed Inductors 1.0uH 20% 10040 Metal Power Inductor
    502352-0600

    Mfr.#: 502352-0600

    OMO.#: OMO-502352-0600-410

    		 Headers & Wire Housings WTB Hdr Singl Row RA 6Ckt Natural Tin
    NUCLEO-F429ZI

    Mfr.#: NUCLEO-F429ZI

    OMO.#: OMO-NUCLEO-F429ZI-STMICROELECTRONICS

    		 NUCLEO DEV BOARD STM32F429ZI
    503480-2400

    Mfr.#: 503480-2400

    OMO.#: OMO-503480-2400-1190

    		 0.5 FPC BF H=1.0 Assy 24P - Bulk (Alt: 5034802400)
    502352-1500

    Mfr.#: 502352-1500

    OMO.#: OMO-502352-1500-393

    		 Conn Shrouded Header HDR 15 POS 2mm Solder RA SMD Embossed T/R - Tape and Reel (Alt: 5023521500)
    PAC1934T-I/JQ

    Mfr.#: PAC1934T-I/JQ

    OMO.#: OMO-PAC1934T-I-JQ-MICROCHIP-TECHNOLOGY

    		 QUAD HIGH-SIDE CURRENT SENSOR
    Қол жетімділік
    Қор:
    846
    Тапсырыс бойынша:
    2829
    Саны енгізіңіз:
    SCT3030KLHRC11 ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
    Анықтамалық баға (USD)
    Саны
    Тауар өлшемінің бағасы
    Қосымша. Бағасы
    1
    63,08 $
    63,08 $
    5
    61,67 $
    308,35 $
    10
    59,26 $
    592,60 $
    25
    57,35 $
    1 433,75 $
    2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
    -ден бастаңыз
    Ең жаңа өнімдер
    More Newest Products
    Top