RCD075N19TL

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

190 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

7.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

240 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

500 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

30 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

52 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Серия:

RCD075N19

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Күз уақыты:

45 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

14 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

80 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

12 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

RCD075N19

Бірлік салмағы:

0.011993 oz

Tags

RCD07, RCD0, RCD