IXFP3N80

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

800 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

3.6 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

3.6 Ohms

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

100 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

HyperFET

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

9.15 mm

Ұзындығы:

10.66 mm

Серия:

IXFP3N80

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

4.83 mm

Бренд:

IXYS

Күз уақыты:

14 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

11 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

25 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

12 ns

Бірлік салмағы:

0.081130 oz

Tags

IXFP3N, IXFP3, IXFP, IXF