APT50GN60BDQ2G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Микрочип

Өнім санаты:

IGBT транзисторлары

RoHS:

Y

Технология:

Си

Пакет/қорап:

TO-247-3

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Конфигурация:

Бойдақ

Коллектор-эмиттер кернеуі VCEO Max:

600 V

Коллектор-эмиттер қанығу кернеуі:

1.5 V

Шықпа эмитентінің максималды кернеуі:

30 V

Үздіксіз коллектор тогы 25 С:

107 A

Pd - қуаттың шығыны:

366 W

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Қаптама:

Түтік

Үздіксіз коллектор ток Ic макс:

107 A

Биіктігі:

5.31 mm

Ұзындығы:

21.46 mm

Жұмыс температурасының диапазоны:

- 55 C to + 175 C

Ені:

16.26 mm

Бренд:

Микрочип / Microsemi

Үздіксіз коллекторлық ток:

107 A

Шлюз-эмиттер ағып кету тогы:

600 nA

Өнім түрі:

IGBT транзисторлары

Зауыттық буманың саны:

1

Ішкі санат:

IGBT

Бірлік салмағы:

1.340411 oz

Tags

APT50GN60BDQ, APT50GN60BD, APT50GN6, APT50GN, APT50G, APT50, APT5, APT