IRG7S313UTRLPBF

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-252-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

330 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

44 A

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4.7 V

Qg - қақпа заряды:

33 nC

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

78 W

Конфигурация:

Бойдақ

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

2.3 mm

Ұзындығы:

6.5 mm

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

6.22 mm

Бренд:

Infineon / IR

Форвард өткізгіштік - Мин:

47 S

Күз уақыты:

68 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

13 ns

Зауыттық буманың саны:

800

Ішкі санат:

MOSFETs

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SP001537462

Бірлік салмағы:

0.139332 oz

Tags

IRG7S3, IRG7S, IRG7, IRG