NVD5805NT4G-VF01

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DPAK-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

40 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

51 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

9.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

80 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 175 C

Pd - қуаттың шығыны:

47 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Қаптама:

Ролик

Бренд:

ON Жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

8.54 S

Күз уақыты:

4.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

17.9 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

22.9 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

10.2 ns

Tags

NVD5805, NVD580, NVD58, NVD5, NVD