RQ6E085BNTCR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-457-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

30 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

8.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

11.1 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

32.7 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.25 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

8 S

Күз уақыты:

31 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

16 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

70 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

11 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

RQ6E085BN

Tags

RQ6E08, RQ6E, RQ6