IXTH6N50D2

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

500 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

6 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

550 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

4.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

96 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

300 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Таусылуы

Қаптама:

Түтік

Серия:

IXTH6N50

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

2.8 S

Күз уақыты:

43 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

72 ns

Зауыттық буманың саны:

30

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

82 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

28 ns

Бірлік салмағы:

0.229281 oz

Tags

IXTH6N, IXTH6, IXTH, IXT