STP18N60M6

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

STMicroelectronics

Өнім санаты:

MOSFET

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-220-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

600 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

13 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

280 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

3.25 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

25 V

Qg - қақпа заряды:

16.8 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

110 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

STMicroelectronics

Күз уақыты:

9 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

7 ns

Зауыттық буманың саны:

1000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

28 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

16 ns

Tags

STP18N60M, STP18N60, STP18N6, STP18N, STP18, STP1, STP