NTLJS3113PT1G

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ON Жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

WDFN-6

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

5.8 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

90 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

670 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

13 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.9 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.75 mm

Ұзындығы:

2 mm

Өнім:

MOSFET шағын сигналы

Серия:

NTLJS3113P

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

2 mm

Бренд:

ON Жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

5.9 S

Күз уақыты:

56.5 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

17.5 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

60 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6.9 ns

Бірлік салмағы:

0.000317 oz

Tags

NTLJS3113P, NTLJS311, NTLJS31, NTLJS3, NTLJS, NTLJ, NTL