PMDPB58UPE,115

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Nexperia

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

DFN-2020-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

4.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

58 mOhms, 58 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

950 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

8 V

Qg - қақпа заряды:

9.5 nC, 9.5 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.21 W

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

2 P-Channel

Бренд:

Nexperia

Форвард өткізгіштік - Мин:

9 S, 9 S

Күз уақыты:

14 ns, 14 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

15 ns, 15 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

41 ns, 41 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

7 ns, 7 ns

Tags

PMDPB58, PMDPB5, PMDPB, PMDP, PMD