RQ1C075UNTR

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

ROHM жартылай өткізгіш

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TSMT-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

20 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

7.5 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

40 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

300 mV

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

18 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.5 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.85 mm

Ұзындығы:

3 mm

Өнім:

MOSFET

Транзистор түрі:

1 N-channel

Түрі:

MOSFET қуаты

Ені:

2.4 mm

Бренд:

ROHM жартылай өткізгіш

Форвард өткізгіштік - Мин:

7 S

Күз уақыты:

85 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

50 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

100 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

15 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

RQ1C075UN

Tags

RQ1C075UNT, RQ1C07, RQ1C0, RQ1C, RQ1