2N7002DWH6327XTSA1

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Infineon

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SOT-363-6

Арналар саны:

2 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

60 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

300 mA

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1.6 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

1.5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

20 V

Qg - қақпа заряды:

600 pC, 600 pC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

500 mW (1/2 W)

Конфигурация:

Қосарлы

Арна режимі:

Жақсарту

Біліктілік:

AEC-Q101

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.9 mm

Ұзындығы:

2 mm

Серия:

2N7002

Транзистор түрі:

2 N-Channel

Ені:

1.25 mm

Бренд:

Infineon Technologies

Форвард өткізгіштік - Мин:

200 mS, 200 mS

Күз уақыты:

3.1 ns, 3.1 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

3.3 ns, 3.3 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

5.5 ns, 5.5 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

3 ns, 3 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

2N7002DW 2N72DWH6327XT H6327 SP000917596

Бірлік салмағы:

0.000265 oz

Tags

2N7002DWH6, 2N7002DWH, 2N7002DW, 2N7002D, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7