SIHG21N80AE-GE3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

800 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

17.4 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

235 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

48 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

32 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Серия:

E

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Күз уақыты:

76 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

38 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

71 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

21 ns

Tags

SIHG21, SIHG2, SIHG, SIH