SIHG22N50D-E3

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Вишай

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

Тесік арқылы

Пакет/қорап:

TO-247AC-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

500 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

22 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

230 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

5 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

30 V

Qg - қақпа заряды:

49 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

312 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

20.82 mm

Ұзындығы:

15.87 mm

Серия:

D

Ені:

5.31 mm

Бренд:

Вишай / Силиконикс

Күз уақыты:

40 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

42 ns

Зауыттық буманың саны:

500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

47 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

21 ns

Бөлім # Бүркеншік аттар:

SIHG22N50D

Бірлік салмағы:

1.340411 oz

Tags

SIHG22N5, SIHG22, SIHG2, SIHG, SIH