IXTA10P15T-TRL

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

- 150 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

- 10 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

350 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

- 2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

- 10 V

Qg - қақпа заряды:

36 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

83 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Бренд:

IXYS

Күз уақыты:

12 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

16 ns

Зауыттық буманың саны:

800

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

40 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

19 ns

Tags

IXTA10P, IXTA10, IXTA1, IXTA, IXT