IXTA10P50P

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

IXYS

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

TO-263AA-3

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

P-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

500 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

10 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

1 Ohms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

50 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

300 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Түтік

Биіктігі:

4.83 mm

Ұзындығы:

10.41 mm

Серия:

IXTA10P50P

Транзистор түрі:

1 P-Channel

Ені:

9.65 mm

Бренд:

IXYS

Форвард өткізгіштік - Мин:

6.5 S

Күз уақыты:

44 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

28 ns

Зауыттық буманың саны:

50

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

52 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

20 ns

Бірлік салмағы:

0.056438 oz

Tags

IXTA10P5, IXTA10P, IXTA10, IXTA1, IXTA, IXT