DMT10H015LFG-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

PowerDI3333-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

42 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

13.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

33.3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Сауда атауы:

PowerDI

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

0.8 mm

Ұзындығы:

3.3 mm

Серия:

DMT10

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3.3 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

8.1 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

7 ns

Зауыттық буманың саны:

3000

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

19.7 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6.5 ns

Бірлік салмағы:

0.002540 oz

Tags

DMT10H015LF, DMT10H015L, DMT10H015, DMT10H01, DMT10H0, DMT10, DMT1, DMT