DMT10H015LSS-13

Өнім атрибуты

Төлсипат мәні

Өндіруші:

Біріктірілген диодтар

Өнім санаты:

MOSFET

RoHS:

Y

Технология:

Си

Орнату стилі:

SMD/SMT

Пакет/қорап:

SO-8

Арналар саны:

1 Channel

Транзистордың полярлығы:

N-арна

Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:

100 V

Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:

8.3 A

Rds On - ағызу көзіне қарсылық:

16 mOhms

Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:

2 V

Vgs - Шлюз көзі кернеуі:

10 V

Qg - қақпа заряды:

33.3 nC

Ең төменгі жұмыс температурасы:

- 55 C

Максималды жұмыс температурасы:

+ 150 C

Pd - қуаттың шығыны:

1.2 W

Конфигурация:

Бойдақ

Арна режимі:

Жақсарту

Қаптама:

Ролик

Биіктігі:

1.5 mm

Ұзындығы:

4.95 mm

Серия:

DMT10

Транзистор түрі:

1 N-Channel

Ені:

3.95 mm

Бренд:

Біріктірілген диодтар

Күз уақыты:

8.1 ns

Өнім түрі:

MOSFET

Көтеру уақыты:

7 ns

Зауыттық буманың саны:

2500

Ішкі санат:

MOSFETs

Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:

19.7 ns

Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:

6.5 ns

Бірлік салмағы:

0.002610 oz

Tags

DMT10H015L, DMT10H015, DMT10H01, DMT10H0, DMT10, DMT1, DMT