IXFH12N100F

IXFH12N100F
Mfr. #:
IXFH12N100F
Өндіруші:
Littelfuse
Сипаттама:
MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
IXFH12N100F Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFH12N100F Datasheet
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
IXFH12N100F Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
IXYS
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
Си
Орнату стилі:
Тесік арқылы
Пакет/қорап:
TO-247-3
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
1 kV
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
12 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
1.05 Ohms
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
20 V
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Pd - қуаттың шығыны:
300 W
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Қаптама:
Түтік
Биіктігі:
21.46 mm
Ұзындығы:
16.26 mm
Серия:
HiPerRF
Транзистор түрі:
1 N-Channel
Ені:
5.3 mm
Бренд:
IXYS
Күз уақыты:
12 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
9.8 ns
Зауыттық буманың саны:
30
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
31 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
12 ns
Бірлік салмағы:
0.229281 oz
Tags
IXFH12N10, IXFH12N1, IXFH12N, IXFH12, IXFH1, IXFH, IXF
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
***ment14 APAC
TRANSISTOR, MOSFET, THROUGH HOLE
***inecomponents.com
MOSFETs w/Fast Intrinsic Diode
***nell
TRANSISTOR, MOSFET, THROUGH HOLE; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:1kV; On State Resistance:1.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Voltage Vgs Max:20V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247AD; No. of Pins:3; Current Id Max:12A; Power Dissipation Pd:300W
Power MOSFETs
IXYS Power MOSFETs are designed for RF applications below 100MHz, linear applications, and high-power, high-frequency, and high-speed switching applications. These Power MOSFETs are available in a wide variety of standard industrial package options for a broad spectrum of market needs, electrical design requirements, and mechanical and mounting specifications.
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
IXFH12N100F
DISTI # V36:1790_07768235
IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
RoHS: Compliant
77
  • 1:$11.8810
IXFH12N100F
DISTI # IXFH12N100F-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 30:$9.9897
IXFH12N100F
DISTI # C1S331700021823
IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
RoHS: Compliant
462
  • 1:$11.8810
IXFH12N100F
DISTI # 26986922
IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
RoHS: Compliant
77
  • 1:$11.8810
IXFH12N100F
DISTI # 10R3612
IXYS CorporationTRANSISTOR, MOSFET, THROUGH HOLE,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:12A,Drain Source Voltage Vds:1kV,On Resistance Rds(on):1.05ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:3V,No. of Pins:3Pins619
  • 1:$14.0100
  • 10:$12.6100
  • 25:$11.9400
  • 50:$11.3200
  • 100:$10.9100
  • 250:$10.4600
  • 500:$10.2700
IXFH12N100F
DISTI # 747-IXFH12N100F
IXYS CorporationMOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
RoHS: Compliant
1213
  • 1:$12.7400
  • 10:$11.4600
  • 25:$10.1900
  • 100:$9.4300
  • 250:$8.1800
  • 500:$7.2800
  • 1000:$6.6900
IXFH12N100F
DISTI # 1428804
IXYS CorporationTRANSISTOR, MOSFET, THROUGH HOLE
RoHS: Not Compliant
619
  • 1:£13.3300
  • 5:£12.6500
  • 10:£10.1200
IXFH12N100F
DISTI # 1428804
IXYS CorporationTRANSISTOR, MOSFET, THROUGH HOLE
RoHS: Not Compliant
619
  • 1:$20.1600
  • 10:$18.1400
  • 25:$17.1900
Сурет Бөлім № Сипаттама
LMV834MTX/NOPB

Mfr.#: LMV834MTX/NOPB

OMO.#: OMO-LMV834MTX-NOPB

Operational Amplifiers - Op Amps Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardene
SCT10N120

Mfr.#: SCT10N120

OMO.#: OMO-SCT10N120

MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
C2M0280120D

Mfr.#: C2M0280120D

OMO.#: OMO-C2M0280120D

MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
PSMN3R5-80PS,127

Mfr.#: PSMN3R5-80PS,127

OMO.#: OMO-PSMN3R5-80PS-127

MOSFET N-Ch 80V 3.5 mOhms
LM3480IM3-5.0/NOPB

Mfr.#: LM3480IM3-5.0/NOPB

OMO.#: OMO-LM3480IM3-5-0-NOPB

LDO Voltage Regulators 100MA,QUASI LDO LINEAR VLTG REG
GA352QR7GF102KW01L

Mfr.#: GA352QR7GF102KW01L

OMO.#: OMO-GA352QR7GF102KW01L

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 2211 1000pF 250Vac X7R 10%
ERA-3AEB152V

Mfr.#: ERA-3AEB152V

OMO.#: OMO-ERA-3AEB152V-PANASONIC

Thin Film Resistors - SMD 0603 1/10W 1.5Kohms
ESR03EZPF10R0

Mfr.#: ESR03EZPF10R0

OMO.#: OMO-ESR03EZPF10R0-ROHM-SEMI

RES SMD 10 OHM 1% 1/4W 0603
LMV834MTX/NOPB

Mfr.#: LMV834MTX/NOPB

OMO.#: OMO-LMV834MTX-NOPB-TEXAS-INSTRUMENTS

Operational Amplifiers - Op Amps Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardene
UMK063BJ222KP-F

Mfr.#: UMK063BJ222KP-F

OMO.#: OMO-UMK063BJ222KP-F-TAIYO-YUDEN

CAP CER 2200PF 50V X5R 0201
Қол жетімділік
Қор:
650
Тапсырыс бойынша:
2633
Саны енгізіңіз:
IXFH12N100F ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
12,74 $
12,74 $
10
11,46 $
114,60 $
25
10,19 $
254,75 $
100
9,43 $
943,00 $
250
8,18 $
2 045,00 $
500
7,28 $
3 640,00 $
1000
6,69 $
6 690,00 $
-ден бастаңыз
Ең жаңа өнімдер
Top