OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Сәлем, жүйеге кіріңізМенің аккаунтым
0 Арба

C2M0280120D

C2M0280120D
Mfr. #:
C2M0280120D
Өндіруші:
N/A
Сипаттама:
MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
Өміршеңдік кезең:
Осы өндірушіден жаңа.
Деректер тізімі:
C2M0280120D Деректер тізімі
Жеткізу:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлем:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Көбірек ақпарат:
C2M0280120D Көбірек ақпарат
Өнім атрибуты
Төлсипат мәні
Өндіруші:
Cree, Inc.
Өнім санаты:
MOSFET
RoHS:
Y
Технология:
SiC
Орнату стилі:
Тесік арқылы
Пакет/қорап:
TO-247-3
Арналар саны:
1 Channel
Транзистордың полярлығы:
N-арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі:
1.2 kV
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы:
10 A
Rds On - ағызу көзіне қарсылық:
280 mOhms
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі:
2.8 V
Vgs - Шлюз көзі кернеуі:
25 V
Qg - қақпа заряды:
5.6 nC
Ең төменгі жұмыс температурасы:
- 55 C
Максималды жұмыс температурасы:
+ 150 C
Pd - қуаттың шығыны:
62.5 W
Конфигурация:
Бойдақ
Арна режимі:
Жақсарту
Сауда атауы:
Z-FET
Қаптама:
Түтік
Транзистор түрі:
1 N-Channel
Бренд:
Wolfspeed / Cree
Форвард өткізгіштік - Мин:
2.8 S
Күз уақыты:
9.9 ns
Өнім түрі:
MOSFET
Көтеру уақыты:
7.6 ns
Зауыттық буманың саны:
30
Ішкі санат:
MOSFETs
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты:
10.8 ns
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты:
5.2 ns
Бірлік салмағы:
1.340411 oz
Tags
C2M0, C2M
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Components
In a Pack of 2, SiC N-Channel MOSFET, 10 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 Wolfspeed C2M0280120D
***ark
Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 10A, To-247 Rohs Compliant: Yes
***ical
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
***ment14 APAC
场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2KV, 10A, TO-247;
***i-Key
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
***hardson RFPD
SILICON CARBIDE MOSFETS
***nell
MOSFET, CA-N, 1,2KV, 10A, TO-247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:10A; Tensione Drain Source Vds:1.2kV; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.28ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):20V; Tensione di Soglia Vgs:2.8V; Dissipazione di Potenza Pd:62.5W; Modello Case Transistor:TO-247; No. di Pin:3Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (SVHC):No SVHC (17-Dec-2015)
Wolfspeed C2M™ SiC Power MOSFETs
Wolfspeed C2M family of Silicon Carbide Power MOSFETs provide engineers a wide range of 1200V and 1700V SiC MOSFETs. Wolfspeed SiC MOSFETs enable engineers to replace silicon transistors (IGBTs) and develop high-voltage circuits with extremely fast switching speeds and ultra-low switching losses. Used in conjunction with Wolfspeed SiC Schottky diodes in an all-SiC system, the C2M SiC MOSFET allows design engineers to achieve levels of energy efficiency, size, and weight reduction that are not possible with available silicon power devices of comparable ratings. The new C2M family of MOSFETs is based on a rugged and reliable Gen2 SiC technology platform, providing the lowest switching losses in their class. The C2M significantly higher switching frequencies, all at lower cost. This revolutionary series also reduces the size of magnetics and filter components and significantly reduces cooling requirements.Learn more
Бөлім № Mfg. Сипаттама Қор Бағасы
C2M0280120D
DISTI # V36:1790_06265415		Cree, Inc.Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS: Compliant		170
  • 25:$4.3900
  • 10:$4.8750
  • 1:$5.9576
C2M0280120D
DISTI # V99:2348_06265415		Cree, Inc.Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS: Compliant		86
  • 10:$4.8830
  • 1:$5.9576
C2M0280120D
DISTI # C2M0280120D-ND		WolfspeedMOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		16158In Stock
  • 100:$5.4131
  • 1:$5.4300
KIT8020-CRD-8FF1217P-1
DISTI # KIT8020-CRD-8FF1217P-1-ND		WolfspeedEVAL KIT PCB 2-MOSFET 2-SIC DRVR
RoHS: Not compliant
Min Qty: 1
Container: Box		144In Stock
  • 1:$248.7500
C2M0280120D
DISTI # 29424048		Cree, Inc.Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS: Compliant		1043
  • 30:$4.8255
C2M0280120D
DISTI # 30990506		Cree, Inc.Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS: Compliant		170
  • 2:$5.9576
C2M0280120D
DISTI # 30729731		Cree, Inc.Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS: Compliant		86
  • 2:$5.9576
C2M0280120D
DISTI # 98Y6013		WolfspeedMOSFET, N-CH, 1.2KV, 10A, TO-247 ROHS COMPLIANT: YES15
  • 500:$5.0200
  • 250:$5.1500
  • 100:$5.2700
  • 50:$5.3300
  • 25:$5.5100
  • 10:$5.8200
  • 1:$6.1900
C2M0280120D
DISTI # 941-C2M0280120D		Cree, Inc.MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
RoHS: Compliant		4933
  • 1:$5.4300
  • 100:$5.2200
  • 500:$4.9700
C2M0280120D
DISTI # 9158820		Cree, Inc.N-CHAN SIC MOSFET 1200V 10A TO247, PK26
  • 120:£4.4700
  • 60:£4.5850
  • 30:£4.7700
  • 10:£4.8950
  • 2:£5.1050
C2M0280120D
DISTI # C2M0280120D		WolfspeedTransistor: N-MOSFET,SiC,unipolar,1.2kV,10A,62.5W,TO247-326
  • 30:$6.0100
  • 10:$6.4500
  • 3:$7.4300
  • 1:$8.4100
C2M0280120D
DISTI # C2M0280120D		WolfspeedSILICON CARBIDE MOSFETS
RoHS: Compliant		2649
  • 1:$5.3200
  • 11:$5.1600
  • 51:$4.9400
C2M0280120D
DISTI # 2630831		WolfspeedMOSFET, N-CH, 1.2KV, 10A, TO-247
RoHS: Compliant		634
  • 1:$9.0600
C2M0280120D
DISTI # 2630831		WolfspeedMOSFET, N-CH, 1.2KV, 10A, TO-247
RoHS: Compliant		726
  • 100:£4.2400
  • 50:£4.2800
  • 10:£4.3100
  • 5:£4.3500
  • 1:£4.8200
Сурет Бөлім № Сипаттама
AD5624RBRMZ-3

Mfr.#: AD5624RBRMZ-3

OMO.#: OMO-AD5624RBRMZ-3

 Digital to Analog Converters - DAC IC 12-Bit w/ 5 ppm/oC On-Chip Ref
SCT10N120

Mfr.#: SCT10N120

OMO.#: OMO-SCT10N120

 MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
C3M0280090D

Mfr.#: C3M0280090D

OMO.#: OMO-C3M0280090D

 MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
C2M1000170D

Mfr.#: C2M1000170D

OMO.#: OMO-C2M1000170D

 MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
C2M0160120D

Mfr.#: C2M0160120D

OMO.#: OMO-C2M0160120D

 MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
SCT2450KEC

Mfr.#: SCT2450KEC

OMO.#: OMO-SCT2450KEC

 MOSFET FET 1200V 5A 450mOhm Silicon Carbide SiC
C4D02120E

Mfr.#: C4D02120E

OMO.#: OMO-C4D02120E

 Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2A
C4D02120A

Mfr.#: C4D02120A

OMO.#: OMO-C4D02120A

 Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2A
AD5624RBRMZ-3

Mfr.#: AD5624RBRMZ-3

OMO.#: OMO-AD5624RBRMZ-3-ANALOG-DEVICES-INC-ADI

 Digital to Analog Converters - DAC IC 12-Bit w/ 5 ppm/oC On-Chip Ref
MGJ2D051505SC

Mfr.#: MGJ2D051505SC

OMO.#: OMO-MGJ2D051505SC-MURATA-POWER-SOLUTIONS

 Isolated DC/DC Converters 2W 5Vin 15/-5Vout 80/40mA SIP
Қол жетімділік
Қор:
Available
Тапсырыс бойынша:
1987
Саны енгізіңіз:
C2M0280120D ағымдағы бағасы тек анықтама үшін берілген, егер сіз ең жақсы бағаны алғыңыз келсе, сату тобымызға [email protected] мекенжайына сұрауды немесе тікелей электрондық поштаны жіберіңіз.
Анықтамалық баға (USD)
Саны
Тауар өлшемінің бағасы
Қосымша. Бағасы
1
5,43 $
5,43 $
100
5,22 $
522,00 $
500
4,97 $
2 485,00 $
2021 жылдан бастап жартылай өткізгіштің жетіспеушілігіне байланысты 2021 жылға дейінгі қалыпты баға төмен. Растау үшін сұрау жіберіңіз.
-ден бастаңыз
Top